hig.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard-cite-them-right
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • sv-SE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • de-DE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Reflectance difference spectroscopy of GaAs asymmetric surface quantum wells above the fundamental gap
Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart, Germany.
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Berlin, Germany.
Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart, Germany.ORCID-id: 0000-0003-2887-049X
Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart, Germany.
Visa övriga samt affilieringar
1998 (Engelska)Ingår i: Physica status solidi. A, Applied research, ISSN 0031-8965, E-ISSN 1521-396X, Vol. 170, nr 2, s. 317-321Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We report Reflectance Difference (RD) measurement on (001) GaAs surface quantum wells (QW) under Ultra High Vacuum (UHV) conditions from 1.7 to 5.0eV. The QW is embedded between an arsenic-rich reconstructed GaAs surface and an AlAs barrier. The samples, grown by MBE with a protective arsenic cap layer, were heated to 320 and 430°C to desorb the As layer and form c(4 x 4) and (2 x 4) surface reconstructions, respectively. By modifying the surface reconstructure, we are able to separate the contributions to the optical anisotropy from the surface region (mainly associated with the As dimers) from those originating below the surface.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1998. Vol. 170, nr 2, s. 317-321
Nyckelord [en]
Energy gap; Molecular beam epitaxy; Reflection; Semiconducting aluminum compounds; Semiconducting gallium arsenide; Semiconductor growth; Spectroscopy; Surface treatment, Aluminum arsenide; Optical anisotropy; Reflectance difference spectroscopy, Semiconductor quantum wells
Nationell ämneskategori
Fysik Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:hig:diva-23222DOI: 10.1002/(SICI)1521-396X(199812)170:2<317::AID-PSSA317>3.0.CO;2-VISI: 000077866100020Scopus ID: 2-s2.0-0032302760OAI: oai:DiVA.org:hig-23222DiVA, id: diva2:1062849
Tillgänglig från: 2017-01-09 Skapad: 2017-01-05 Senast uppdaterad: 2018-03-13Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Rönnow, Daniel

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Rönnow, Daniel
I samma tidskrift
Physica status solidi. A, Applied research
FysikElektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 209 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard-cite-them-right
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • sv-SE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • de-DE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf