hig.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard-cite-them-right
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • sv-SE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • de-DE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Behavioral modeling of outphasing amplifiers considering memory effects
Högskolan i Gävle, Akademin för teknik och miljö, Avdelningen för elektronik, matematik och naturvetenskap, Elektronik. Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden .
Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden.
Ericsson AB; Linköping University.
Linköping University.
2013 (Engelska)Ingår i: 2013 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, IEEE conference proceedings, 2013, artikel-id 6697764Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

This paper proposes a behavioral model structure for outphasing amplifiers. The model performance is evaluated on a class-D CMOS outphasing amplifier and compared with two models found in the literature. The proposed model structure also allows the use of memory in a parallel Hammerstein-like setting. The proposed models show improvements in adjacent channel error power ratio (ACEPR) of approximately 5 dB in addition to being linear in the parameters. The lower model errors enable the use and design of improved predistorters taking frequency dependency (memory effects) in outphasing amplifiers into account. 

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
IEEE conference proceedings, 2013. artikel-id 6697764
Serie
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, ISSN 0149-645X
Nyckelord [en]
CMOS, Nonlinear distortion, Power amplifier, Predistortion, Adjacent channels, Behavioral model, Frequency dependencies, Memory effects, Model errors, Model performance, Pre-distortion, Predistorters, CMOS integrated circuits, Power amplifiers
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:hig:diva-17937DOI: 10.1109/MWSYM.2013.6697764ISI: 000369754300433Scopus ID: 2-s2.0-84893322647ISBN: 978-146736176-7 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:hig-17937DiVA, id: diva2:762221
Konferens
2013 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, MTT 2013, 2-7 June 2013, Seattle, WA
Tillgänglig från: 2014-11-11 Skapad: 2014-11-11 Senast uppdaterad: 2018-03-13Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Landin, Per

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Landin, Per
Av organisationen
Elektronik
Elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 394 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard-cite-them-right
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • sv-SE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • de-DE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf