hig.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard-cite-them-right
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • sv-SE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • de-DE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Investigation of the Nonlinear Input Capacitance in LDMOS Transistors and its Contribution to IMD and Phase Distortion
Högskolan i Gävle, Institutionen för teknik och byggd miljö, Ämnesavdelningen för elektronik.
The Ångström Laboratory, Solid State Electronics, Uppsala University, Uppsala, Sweden.
The Ångström Laboratory, Solid State Electronics, Uppsala University, Uppsala, Sweden.
2008 (Engelska)Ingår i: Solid-State Electronics, ISSN 0038-1101, E-ISSN 1879-2405, Vol. 52, nr 7, s. 1024-1031Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

In this paper the mechanisms causing the capacitive, reactive non-linearities in a lateral double diffused MOS, LDMOS, transistor are investigated. The non-linear input capacitance under load-line power match is extracted and analyzed. Computational TCAD load-pull is used to analyze the effect of non-linear capacitance on two-tone intermodulation distortion and AM–PM conversion in class-A operation. High-frequency measurements have been made to verify the use of 2D numerical device simulations for the analysis. It is found that the input capacitance, Cgg, of the LDMOS transistor working under power match conditions is a strongly non-linear function of gate voltage Vg but with an almost linear initial increase in Cgg. The voltage dependence of Cgg is found to mainly affect higher order IMD products in class-A operation. Transient simulations however show that Cgg seriously contributes to the onset of AM–PM conversion well below the 1 dB compression point.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2008. Vol. 52, nr 7, s. 1024-1031
Nyckelord [en]
LDMOS Transistors, RF-Power, Power Amplifiers, IMD
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:hig:diva-1939DOI: 10.1016/j.sse.2008.03.001ISI: 000257972500006Scopus ID: 2-s2.0-44749088400OAI: oai:DiVA.org:hig-1939DiVA, id: diva2:118601
Tillgänglig från: 2008-06-09 Skapad: 2008-06-09 Senast uppdaterad: 2018-03-13Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Bengtsson, Olof

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Bengtsson, Olof
Av organisationen
Ämnesavdelningen för elektronik
I samma tidskrift
Solid-State Electronics
Annan elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 1019 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard-cite-them-right
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • sv-SE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • de-DE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf