hig.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard-cite-them-right
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • sv-SE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • de-DE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Large-Signal Characterization and Modeling of LDMOS-Transistors for RF-Power Applications
Högskolan i Gävle, Institutionen för teknik och byggd miljö, Ämnesavdelningen för elektronik.
Visa övriga samt affilieringar
1997 (Engelska)Ingår i: GHz97, 1997Konferensbidrag, Publicerat paper (Övrig (populärvetenskap, debatt, mm))
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1997.
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:hig:diva-2680OAI: oai:DiVA.org:hig-2680DiVA, id: diva2:119342
Konferens
GHz'97, Kista, Sweden, 1997
Tillgänglig från: 2007-10-05 Skapad: 2007-10-05 Senast uppdaterad: 2018-03-13Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Bengtsson, Olof

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Bengtsson, Olof
Av organisationen
Ämnesavdelningen för elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 83 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard-cite-them-right
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • sv-SE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • de-DE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf