hig.sePublikationer
Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
1 - 1 av 1
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard-cite-them-right
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • sv-SE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • de-DE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1.
    Bengtsson, Olof
    et al.
    Högskolan i Gävle, Institutionen för teknik och byggd miljö, Ämnesavdelningen för elektronik.
    Vestling, Lars
    Solid State Electronics, Ångström Laboratory, Uppsala University, Uppsala, Sweden.
    Olsson, Jörgen
    Solid State Electronics, Ångström Laboratory, Uppsala University, Uppsala, Sweden.
    Investigation of SOI-LDMOS for RF-Power Applications Using Computational Load Pull2009Ingår i: IEEE Transactions on Electron Devices, ISSN 0018-9383, E-ISSN 1557-9646, Vol. 56, nr 3, s. 505-511Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Small-signal and computational load-pull simulations are used to investigate the effect of substrate resistivity on efficiency in high-power operation of high-frequency silicon-on insulator-LDMOS transistors. Identical transistors are studied on substrates with different resistivities. Using computational load pull, their high-power performance is evaluated. The results are compared to previous investigations, relating the OFF-state out put resistance to high-efficiency operation. From the large-signal simulation, an output circuit model based on a load-line match is extracted with parameters traceable from small-signal simu lations. It is shown that, albeit high OFF-state output resistance is a good indication, it is not sufficient for high efficiency in a high-power operation. The bias and frequency dependence of the coupling through the substrate makes a more detailed ON-state analysis necessary. It is shown that very low resistivity and high resistivity SOI substrates both result in a high efficiency at the studied frequency and bias point. It is also shown that a normally doped medium-resistivity substrate results in a significantly lower efficiency.

1 - 1 av 1
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard-cite-them-right
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • sv-SE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • de-DE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf